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공학도서-영문판(Technical Books)
공학도서-일본어판
공학도서-일본어판 > 재료/신소재(Materials)
SiC/GaNパワー半導体を用いた電力変換回路の全体俯瞰
SiC/GaN힘 반도체를 이용한 전력 변환 회로 전체 부감
발   행   사 : 네오테크놀로지 저       자 :
체         제 : 115 페이지 , CD-ROM 포함 발  행  일 : 2016-03
ISBN/CODE : 수       량 :  
¥86,400 -> 1,036,800원 Hard Copy Version

차세대 파워 반도체라는 탄화 규소 (SiC : 실리콘 카바이드)과 질화 갈륨 (GaN : 갈륨 나이트 라이드) 다음 파워 반도체의 주력이 될 것으로 생각하고 있습니다.
Si 제 장치는 기술적 인 포화 한계에 가까워지고있어 SiC / GaN 파워 스위치로 전력 변환 회로의 고효율화, 소형화가 가능합니다.
특징으로는 도통시 포화 전압이 낮기 때문에 전도 손실이 적은 게이트 용량이 적기 때문에 드라이브가 쉬운 것, 고속 동작이 있기 때문에 스위칭 손실을 저감하는 것을들 수 있습니다.
"포화 전압이 낮다"것은 전도 손실이 적고 발열의 감소가 가능 "고속 동작이 가능한 '것은 고주파 스위칭이 가능하고 소형화가 바로 차세대 장치라고합니다.
이미 SiC를 응용 한 어플리케이션 예제는 범용 인버터가 시장에 투입되고 있습니다. 또한 GaN을 응용 한 응용 프로그램은 오디오 용 클래스 D 앰프가 출시되고 있습니다.
현재 개발되고있는 SiC / GaN 디바이스는 각각의 전압 범위와 전류 범위에서 기존의 Si 제품 IGBT는 SiC로 기존의 Si 제 MOSFET은 GaN에 순차적으로 대체 해 나갈 것으로 예상됩니다.
SiC에 대한 개발이 늦어진 GaN 디바이스이지만 최근에는 특허 출원이 과거에 비해 증가하고있는 것도 주목할만한 점입니다.

부직포 기술과 시장
不織布の技術と市場
발행사 : 씨엠씨출판 | 발행일 : 2017-08-01 | 가격 : ¥ 85,000 -> 1,020,000원 Hard Copy Version ¥ 0 PDF Version | 저자 : | 체제 : 270 페이지 | ISBN/CODE :
플렉시블 열전 변환 자재 개발과 응용
フレキシブル熱電変換材料の開発と応用
발행사 : 씨엠씨출판 | 발행일 : 2017-07-31 | 가격 : ¥ 76,000 -> 912,000원 Hard Copy Version ¥ 0 PDF Version | 저자 : | 체제 : 254 페이지 | ISBN/CODE :
졸 - 겔 기술의 최신 동향
ゾル-ゲルテクノロジーの最新動向
발행사 : 씨엠씨출판 | 발행일 : 2017-07-28 | 가격 : ¥ 86,000 -> 1,032,000원 Hard Copy Version ¥ 0 PDF Version | 저자 : | 체제 : 416 페이지 | ISBN/CODE :
플라즈마 산업 응용 기술 - 표면 처리에서 환경, 의료, 바이오, 농업 용도까지 -
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